新型导热导电GaN复合衬底的制备及外延生长特性研究.docx

新型导热导电GaN复合衬底的制备及外延生长特性研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体材料的璀璨星空中，氮化镓（GaN）无疑是一颗极为耀眼的明星，它作为第三代半导体材料的杰出代表，凭借着诸多卓越特性，在现代半导体领域占据着举足轻重的地位。其具有宽禁带宽度，数值可达3.4eV，这一特性使得GaN器件能够在更高的温度、电压以及频率条件下稳定运行。同时，GaN还拥有高电子迁移率，这为实现高速电子传输提供了有力保障，进而使得基于GaN的器件能够展现出更为出色的高频性能。在当今科技飞速发展的时代，电子设备对于高性能、小型化以及低功耗的追求永无止境，而GaN材料的出现，恰好为