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探寻P型GaN基材料电学性能与欧姆接触的内在联系及优化策略

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体材料的大家族中，氮化镓（GaN）基材料凭借其独特的性能优势，成为了近年来科研领域和产业界的焦点。GaN属于宽禁带半导体，其禁带宽度达到3.4eV，约为传统硅材料（1.1eV）的三倍。这一特性赋予了GaN基材料诸多卓越的性能，使其在众多领域展现出广阔的应用前景。

从材料特性来看，GaN基材料具有高击穿场强，其数值可达3.5MV/cm，是硅材料的十几倍。这使得基于GaN基材料制造的器件能够在更小的尺寸下承受更高的电压，在高功率应用中具有显著优势。例如，在电力电子领域，高击穿场强