CN119947159A 降低功率mosfet的输入电容的方法 （上海华虹宏力半导体制造有限公司）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119947159A

(43)申请公布日2025.05.06

(21)申请号202510105514.1

(22)申请日2025.01.23

(71)申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司

地址201203上海市浦东新区中国（上海）

自由贸易试验区祖冲之路1399号

(72)发明人刘沙沙刘须电石磊

(74)专利代理机构上海浦一知识产权代理有限

公司31211

专利代理师刘昌荣

(51)Int.Cl.

H10D30/01(2025.01)

H10D30/66(2025.01)

H10D62/13(2025.01)

H10D64/27(2025.01)