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北京工业大学半导体物理考研真题试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

选择题（每题2分，共20分）

1.直接带隙半导体与间接带隙半导体的主要区别在于（）。

A.禁带宽度不同

B.导带底与价带顶在k空间的位置是否相同

C.载流子迁移率不同

D.杂质电离能不同

2.n型半导体中，若施主杂质浓度N_D远大于受主杂质浓度N_A，则多数载流子浓度为（）。

A.N_D

B.N_A

C.N_D-N_A

D.n_i

3.本征半导体的费米能级E_F位于（）。

A.导带底

B.价带顶

C.禁带中央

D.导带底以上

4.当温度升高时，本征半导体的迁移率主要受（）散射影响而降低。

A.电离杂质

B.晶格振动

C.载流子-载流子

D.表面

5.MIS结构处于反型状态时，半导体表面能带发生（）弯曲。

A.向上

B.向下

C.水平

D.阶梯状

6.PN结正向偏置时，电流主要来源于（）。

A.扩散电流

B.复合电流

C.漂移电流

D.隧穿电流

7.半导体中，施主杂质电离后产生的载流子是（）。

A.空穴

B.电子

C.