CN119833428A 改善离子注入后晶格受损的方法及系统 (上海积塔半导体有限公司).pdfVIP

  • 0
  • 0
  • 约1.37万字
  • 约 12页
  • 2026-03-24 发布于重庆
  • 举报

CN119833428A 改善离子注入后晶格受损的方法及系统 (上海积塔半导体有限公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119833428A

(43)申请公布日2025.04.15

(21)申请号202510117667.8

(22)申请日2025.01.23

(71)申请人上海积塔半导体有限公司

地址2

您可能关注的文档

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档