MgxZn1 - xO纳米线气相生长机制、特性及应用前景探究.docx

MgxZn1-xO纳米线气相生长机制、特性及应用前景探究

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体材料的广阔领域中，MgxZn1-xO纳米线凭借其独特的物理性质和潜在的应用价值，逐渐成为研究的焦点。随着现代科技的飞速发展，对半导体材料性能的要求日益提高，传统半导体材料在某些方面已难以满足新兴技术的需求。而MgxZn1-xO纳米线作为一种新型的半导体材料，展现出了诸多优异特性，为解决这些问题提供了新的思路和可能。

ZnO是一种具有六方纤锌矿结构的II-VI族宽带隙半导体材料，室温下带隙宽度高达3.37eV，激子束缚能为60meV，这使得它在室温下能实现较强的激子发光，