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SiC衬底上GaN薄膜与LED的制备工艺及性能研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今半导体材料的广阔领域中，氮化镓（GaN）作为一种重要的宽禁带半导体材料，以其卓越的性能脱颖而出，在光电器件领域占据着举足轻重的地位。GaN材料具有宽的直接带隙，这一特性使其能够在短波长光电子器件中发挥关键作用，成为制备高亮度LED、激光二极管等器件的理想选择。其强的原子键赋予了材料较高的稳定性，使其在高温、高功率等严苛环境下仍能保持良好的性能。高的热导率使得GaN器件在工作过程中能够有效地散热，从而提高了器件的可靠性和使用寿命。此外，GaN还具有化学稳定性好、几乎不被任何酸腐蚀以及强的抗腐蚀能力等优点，这些特性为其在光电子、高温大功率器件和高频微波器件等领域的广泛应用奠定了坚实的基础。

然而，GaN晶体的生长面临着诸多挑战。由于GaN在常压下无法熔化，高温下分解为Ga和N?，在其熔点（2300℃）时的分解压高达6GPa，当前的生长装备很难在如此高的压力下实现GaN单晶的生长，这使得传统熔体法无法用于GaN单晶的制备。因此，目前主要采用在其他衬底上进行异质外延生长的方法来获得GaN材料。在众多可选的衬底材料中，SiC衬底凭借其独特的优势成为生长高质量GaN薄膜和制备高性能LED的理想选择。

SiC衬底具有高质量、高稳定性的特点，这为GaN薄膜