电感耦合放电模式转换对等离子体密度均匀性影响的实验剖析
一、引言
1.1研究背景与意义
电感耦合放电(InductivelyCoupledDischarge,简称ICD)作为一种重要的等离子体产生方式,在众多领域都展现出了独特的应用价值,已成为现代工业和科学研究中的关键技术之一。在半导体制造领域,随着芯片集成度的不断提高,对刻蚀工艺的精度和均匀性提出了前所未有的要求,电感耦合等离子体刻蚀(ICPEtching)凭借其能够精确控制刻蚀过程、改善工艺均匀性以及提高刻蚀深度和侧壁垂直度等优势,成为了芯片制造过程中不可或缺的一环,对推动半导体产业向更小尺寸、更高性能方向发展起到了关键作用。
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