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2.1引言

2.2集成电路的主要生产工艺晶片准备制版光刻工艺氧化工艺淀积腐蚀扩散P型衬底SiO2N+N+GSD金属

2.3CMOS反相器及其版图2.3.1MOS晶体管及其版图LW多晶硅SiO2源(N+)漏(N+)NMOS晶体管栅(G)源(S)漏(D)栅氧化层P型NMOS管的物理模型P型衬底N+N+空穴电子沟道

NMOS管特性漏极电流

NMOS管特性当不考虑沟道长度调制系数λ的影响时:截止状态VGSVTN线性区VGSVTNVGSVDS+VTN饱和区VTNVGSVDS+VTN

对于PMOS管VGSVTPVGSVDS+VTPVGS+VTPVGSVTP

NMOS管在线性区的沟道电阻数字电路的应用中

NMOS管作电阻RDSPMOS管

2.3.2CMOS反相器的结构及其版图RP=RNVOUTCMOS反相器VDDVINM1M2VDDVOUTRP(M2)VINVINRN(M1)CMOS反相器的等效模型

CMOS反相器的制作工艺物理结果截面(侧视)场氧化(FOX)掩膜板(顶视)N阱N阱掩膜板薄