CN113764207B 基于3d打印模板压印的薄膜电容器电极制备方法 (清华大学深圳国际研究生院).docxVIP

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  • 2026-03-26 发布于重庆
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CN113764207B 基于3d打印模板压印的薄膜电容器电极制备方法 (清华大学深圳国际研究生院).docx

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN113764207B(45)授权公告日2022.05.10

(21)申请号202111087501.4

(22)申请日2021.09.16

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN113764207A

(43)申请公布日2021.12.07

(73)专利权人清华大学深圳国际研究生院

地址518055广东省深圳市南山区西丽街

道深圳大学城清华校区A栋2楼

(72)发明人丘陵吴欣杨闯成会明

(74)专利代理机构深圳市鼎言知识产权代理有限公司44311

专利代理师曾昭毅郑海威

B33Y80/00(2015.01)

B33Y10/00(2015.01)

(56)对比文件

US2012003539A1,2012.01.05CN108447695A,2018.08.24

CN103199268A,2013.07.10CN106784611A,2017.05.31

CN108257791A,2018.07.06

CN111525139A,2020.08.11

审查员陈慧君

(51)Int.CI.

HO1G11/86(20

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