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基于STM的6H-SiC(0001)外延石墨烯生长机制与表面应力释放解析

一、引言

1.1研究背景与意义

自2004年英国曼彻斯特大学的研究小组用机械剥离法成功制备出石墨烯以来，这种由碳原子紧密堆积成单层二维蜂窝状晶格结构的碳质新材料，便因其独特的电子结构、载流子特性以及优异的物理和化学性能，在科学界和工业界引起了广泛关注，成为材料科学领域的研究热点之一。

石墨烯的电子结构具有独特的线性色散关系，其载流子表现出无质量狄拉克费米子的特性，为研究量子电动力学现象提供了理想的平台。在物理性能方面，石墨烯的导电性极佳，电子迁移率高达15000cm2?V?1?s?1，远超商用硅片，这使其在高速电子器件领域展现出巨大的应用潜力，有望用于制造高性能的晶体管，大幅提升集成电路的运行速度和降低功耗；它的强度高达130GPa，比世界上最好的钢还要高100倍，同时具备出色的柔韧性，为制造高强度、轻量化的结构材料提供了新的可能；其热导率可达5000W?m?1?K?1，是金刚石的3倍，在散热材料领域具有重要的应用价值；此外，石墨烯还拥有超大的比表面积（2630m2/g），在吸附、催化以及储能等领域发挥着重要作用，例如在超级电容器中，可显著提高能量存储和释放的效率。在化学性能上，石墨烯具有良好的化学稳定性和生物相容性，在生物医学领域，可用于药物输送、生物传感器和组织工程等方面