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CN115088063B 用于制造包括位于由SiC制成的载体衬底上的由单晶SiC制成的薄层的复合结构的方法 （Soitec公司）.docxVIP

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  • 2026-03-27 发布于山西
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CN115088063B 用于制造包括位于由SiC制成的载体衬底上的由单晶SiC制成的薄层的复合结构的方法 （Soitec公司）.docx

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利

    (10)授权公告号CN115088063B

    (45)授权公告日2025.06.13

    (21)申请号202180014912.2

    (22)申请日2021.01.12

    (65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN115088063A

    (43)申请公布日2022.09.20

    (30)优先权数据

    FR20030262020.03.27FR

    (85)PCT国际申请进入国家阶段日2022.08.16

    (86)PCT国际申请的申请数据

    PCT/FR2021/0500472021.01.12(87)PCT国际申请的公布数据

    WO2021/

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