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低压电力装置用氮化镓场效应晶体管通用技术规范

1总则

1.1编制目的

为规范低压电力装置用氮化镓场效应晶体管（以下简称“GaNFET”）的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输及贮存，确保产品质量一致性、可靠性和安全性，适配低压电力装置（直流≤1500V、交流≤1000V）的应用需求，推动GaNFET在电力配电、电力电子设备、新能源配套低压装置等领域的标准化应用，结合当前氮化镓半导体技术发展水平及行业实践，特制定本规范。

本规范作为低压电力装置用GaNFET产品设计、生产、检验、选型及应用的统一技术依据，兼顾技术先进性与实操可行性，明确产品核心性能指标及质量要求，保障低压电力装置运行的高效性、稳定性，助力第三代半导体技术在低压电力领域的规范化推广。

1.2适用范围

本规范适用于额定电压≤1500V直流、≤1000V交流，额定电流≤100A，采用氮化镓（GaN）材料制备，用于低压电力装置（包括但不限于低压配电设备、电力电子变换器、不间断电源、充电桩低压侧、低压电机驱动装置等）的增强型场效应晶体管，涵盖常源型、耗尽型GaNFET产品。

本规范不适用于高压电力装置用GaNFET、射频领域GaN器件及非电力装置用GaNFET产品；不适用于特殊环境（如强辐射、极端高低温、强腐蚀等）专用GaNFET，此类产品可在本规范基础上制定专项技术要求。

1.3核心原则

合