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CN115084267B Soi ldmos器件及其制造方法 （华虹半导体(无锡)有限公司）.docxVIP

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  • 2026-03-27 发布于山西
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CN115084267B Soi ldmos器件及其制造方法 （华虹半导体(无锡)有限公司）.docx

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利

    (10)授权公告号CN115084267B

    (45)授权公告日2025.06.10

    (21)申请号202210514663.X

    (22)申请日2022.05.11

    (65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN115084267A

    (43)申请公布日2022.09.20

    (73)专利权人华虹半导体（无锡）有限公司

    地址214028江苏省无锡市新吴区新洲路

    30号

    (72)发明人陈天张红林肖莉王黎陈华伦

    (74)专利代理机构上海浦一知识产权代理有限公司31211

    专利代理师郭四华

    (51)Int.Cl

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