CN120091602A 横向应变超结金属氧化物半导体场效应晶体管及制备方法 (海南大学).pdfVIP

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  • 2026-03-27 发布于重庆
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CN120091602A 横向应变超结金属氧化物半导体场效应晶体管及制备方法 (海南大学).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN120091602A

(43)申请公布日2025.06.03

(21)申请号202510118222.1

(22)申请日2025.01.24

(71)申请人海南大学

地址570228海南省海口市美兰区人民大

道58号

(72)发明人李明哲王晓博杨珞云刘马良

(74)专利代理机构西安弘理专利事务所61214

专利代理师涂秀清

(51)Int.Cl.

H10D30/65(2025.01)

H10D30/01(2025.01)

H10D62/10(2025.01)

权利要求书2页说明书8页附图2页

(54)发明名称

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