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CN115172196B 一种考虑库伦散射的MOSFETs栅氧化层陷阱随位置分布的表征方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

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  • 2026-03-28 发布于山西
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CN115172196B 一种考虑库伦散射的MOSFETs栅氧化层陷阱随位置分布的表征方法 （西安电子科技大学）.docx

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利

    (10)授权公告号CN115172196B

    (45)授权公告日2025.05.20

    (21)申请号202210724993.1

    (22)申请日2022.06.24

    (65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN115172196A

    (43)申请公布日2022.10.11

    (73)专利权人西安电子科技大学

    地址710071陕西省西安市太白南路2号

    (72)发明人陈华杨济宁何亮张彦军汪显宇

    (74)专利代理机构西安智大知识产权代理事务所61215

    专利代理师段俊涛

    (51)Int.Cl.

    H01L21

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