CN115376775B 考虑磁通集肤效应的磁心及设计方法 (东南大学).docxVIP

  • 0
  • 0
  • 约1.1万字
  • 约 21页
  • 2026-03-29 发布于山西
  • 举报

CN115376775B 考虑磁通集肤效应的磁心及设计方法 (东南大学).docx

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN115376775B

(45)授权公告日2025.05.30

(21)申请号202211080070.3

(22)申请日2022.09.05

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN115376775A

(43)申请公布日2022.11.22

(73)专利权人东南大学

地址210096江苏省南京市玄武区四牌楼2

号

(72)发明人程明秦伟朱新凯花为王政朱洒许芷源

(74)专利代理机构南京经纬专利商标代理有限

公司32200

专利代理师朱小兵

(51)Int.Cl

您可能关注的文档

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档