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CN115360236B 一种具有高阻缓冲层的GaN HEMT器件及其制备方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

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  • 2026-03-29 发布于山西
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CN115360236B 一种具有高阻缓冲层的GaN HEMT器件及其制备方法 （西安电子科技大学）.docx

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利

    (10)授权公告号CN115360236B

    (45)授权公告日2025.07.04

    (21)申请号202210784835.5

    (22)申请日2022.07.05

    (65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN115360236A

    (43)申请公布日2022.11.18

    (73)专利权人西安电子科技大学

    地址710071陕西省西安市太白南路2号

    (72)发明人周小伟黄晨曦李培咸冯晨宇刘瑞宇

    (74)专利代理机构西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)61230

    专利代理师王丹

    (51)Int.Cl

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