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2026年大学电子科学与技术(半导体物理)试题及答案

一、单项选择题（每题2分，共20分）

1.金刚石结构的晶胞中，实际包含的原子数目为（）

A.4

B.8

C.12

D.16

答案：B

解析：金刚石结构的晶胞为面心立方结构，顶点原子贡献为8×18=1

2.室温下（300K），硅的本征载流子浓度ni约为（）

A.1.5

B.1.5

C.1.5

D.1.5

答案：A

解析：室温下硅的本征载流子浓度是半导体物理的基础参数，约为1.5×

3.对于N型半导体，当温度升高到本征激发占主导时，费米能级的位置会（）

A.向导带底靠近

B.向价带顶靠近

C.回到禁带中央

D.保持不变

答案：C

解析：低温下N型半导体费米能级靠近导带底；温度升高后，本征载流子浓度指数增长，当本征激发主导时，费米能级趋近于禁带中央，与本征半导体的费米能级位置一致。

4.影响半导体中载流子迁移率的最主要因素是（）

A.掺杂浓度

B.温度

C.晶格散射和电离杂质散射

D.载流子浓度

答案：C

解析：载流子迁移率由散射机制决定：低温下电离杂质散射占主导，温度升高时散射减弱，迁移率升高；高温下晶格散射（声子散射）占主导，温度升高时散射增强，迁移率降低。两种散射机制共同决定迁移率的大小。

5.PN结正向偏置时，空间电荷区的宽度会（）

A.变宽

B.变窄

C.不变

D.