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600V低EMI噪声高能效超结VDMOS结构设计及其在反激式开关电源中的应用研究

一、引言

1.1研究背景与意义

随着现代电子技术的飞速发展，各类电子设备对电源的需求日益增长且要求愈发严格。反激式开关电源作为一种高效、紧凑且成本低廉的电源拓扑结构，在中小功率应用领域，如手机充电器、平板电脑适配器、LED照明驱动电源以及各类小型电器的电源模块等，得到了极为广泛的应用。其工作原理基于变压器的储能与释能过程，在开关管导通时，变压器存储能量；开关管关断时，变压器将存储的能量释放给负载，从而实现电压的转换与电能的传输。

在反激式开关电源中，功率开关器件是核心部件之一，其性能直接影响着电源的整体性能。垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOS）凭借其高输入阻抗、快速开关速度、良好的热稳定性以及简单的驱动电路等优点，成为反激式开关电源中常用的功率开关器件。然而，传统的VDMOS器件在高耐压应用场景下，其导通电阻与击穿电压之间存在着“硅限”关系，即随着击穿电压的升高，导通电阻会急剧增大，这导致器件在导通状态下的功率损耗显著增加，从而降低了电源的转换效率。

为了突破“硅限”的制约，超结VDMOS结构应运而生。超结VDMOS通过在漂移区引入高浓度电荷平衡的P型柱和N型柱，优化了漂移区的电场分布，使得器件在保持高击穿电压的同时，能够显著降低导通电阻，有效提升了器