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CN115461852B 用于在由半导体材料制成的衬底晶片上沉积外延层的方法和装置 （硅电子股份公司）.docxVIP

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  • 2026-03-31 发布于山西
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CN115461852B 用于在由半导体材料制成的衬底晶片上沉积外延层的方法和装置 （硅电子股份公司）.docx

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利

    (10)授权公告号CN115461852B

    (45)授权公告日2025.06.24

    (21)申请号202180031440.1

    (22)申请日2021.04.14

    (65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN115461852A

    (43)申请公布日2022.12.09

    (30)优先权数据92020.04.27EP

    (85)PCT国际申请进入国家阶段日2022.10.27

    (86)PCT国际申请的申请数据

    PCT/EP2021/0596682021.04.14

    (87)PCT国际申请的公布数据

    WO2021

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