Ga_(2)O_(3)∶Si薄膜制备及其日盲紫外光电探测器性能研究.pdfVIP

第54卷第3期人工晶体学报Vol.54No.3

2025年3月JOURNALOFSYNTHETICCRYSTALSMarch,2025

DOI:10.16553/ki.issn1000-985x.2024.0289

GaO∶Si薄膜制备及其日盲紫外光电探测器

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性能研究

张献,岳志昂,赵恩钦,魏帅康,叶文轩,黄敏怡,辛美波,赵洋,王辉

(河南科技大学物理工程学院,河南省光电储能材料与应用重点实验室,洛阳471023)

摘要:日盲紫外光电探测器(SBPDs)在军事、民用、医疗等领域存在巨大的应用潜力。本文采用射频磁控溅射技术制

备Si掺杂氧化镓(GaO)薄膜,研究了氩氧流量比对