半导体物理期末测试卷（含答案）.docxVIP

半导体物理期末测试卷（含答案）

考试时间：120分钟满分：100分适用专业：微电子科学与工程、电子科学与技术

班级：__________姓名：__________学号：__________得分：__________

一、单项选择题（每题2分，共20分）

1.下列材料中，不属于半导体材料的是（）

A.硅（Si）B.锗（Ge）C.砷化镓（GaAs）D.铜（Cu）

2.半导体的禁带宽度是指（）

A.导带底与价带顶之间的能量差B.导带顶与价带底之间的能量差

C.导带中电子的最高能量D.价带中空穴的最低能量

3.N型半导体的多数载流子是（）

A.空穴B.电子C.施主离子D.受主离子

4.下列哪种散射机制在低温下对半导体载流子迁移率的影响最为显著（）

A.晶格振动散射B.电离杂质散射C.谷间散射D.中性杂质散射

5.PN结正向偏置时，耗尽层宽度会（）

A.变宽B.变窄C.不变D.不确定

6.热平衡状态下，半导体中电子浓度n和空穴浓度p满足（）

A.n+p=常数B.np=常数C.n=pD.n-p=常数

7.下列关于简并半导体的说法，正确的是（）

A.费米能级远离导带和价带B.载流子分布满足玻耳兹曼分布

C.重掺杂情况下