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CN117613052B 一种金属极性与氮极性结合的GaN基CMOS器件及其制备方法 （吉林大学）.docxVIP

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  • 2026-04-03 发布于山西
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CN117613052B 一种金属极性与氮极性结合的GaN基CMOS器件及其制备方法 （吉林大学）.docx

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利

    (10)授权公告号CN117613052B

    (45)授权公告日2025.05.02

    (21)申请号202311657662.1

    (22)申请日2023.12.05

    (65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN117613052A

    (43)申请公布日2024.02.27

    (73)专利权人吉林大学

    地址130012吉林省长春市长春高新技术

    产业开发区前进大街2699号

    (72)发明人张源涛张立东邓高强左长财

    (74)专利代理机构长春吉大专利代理有限责任公司22201

    专利代理师王立文

    (51)Int.C

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