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GaAs基InAsSb薄膜：生长机制、性能调控与红外探测应用的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代科技领域中，红外探测技术作为一种重要的非接触式传感手段，广泛应用于军事、航空航天、医学、工业检测以及环境监测等众多领域。随着科技的飞速发展，对红外探测技术的性能要求也日益提高，其中高性能的红外探测材料成为了推动这一技术发展的关键因素。

GaAs基InAsSb薄膜作为一种极具潜力的红外探测材料，在红外探测领域占据着重要地位。InAsSb属于III-V族化合物半导体合金材料，其禁带宽度可随Sb组分含量的不同在一定范围内变化，室温下能够覆盖3-12μm的波长范围