从硅到碳化硅过渡,碳化硅CascodeJFET为何能成为破局者.pdfVIP

电力电子专栏

前沿技术从硅到碳化硅过渡，碳化硅CascodeJFET为何能成为破局

者？

·OBrandonBecker，安森美（onsemi）电源解决方案事业部（PSG）营销经理

电力电子器件高度依赖于硅（Si）、碳化硅（SiC）然而，安森美的EliteSiC共源共栅结型场效应晶

和氮化镓高电子迁移率晶体管（GaNHEMT）等半导体体管（CascodeJFET）器件（图2）将这一技术推向了新

材料。虽然硅一直是传统的选择，但碳化硅器件凭借其高度。该器件基于独特的”共源共栅（Cascode）”电路

优异的性能与可靠性而越来越受欢迎。相较于硅，碳配置一一将常开型碳化硅JFET器件与硅MOSFET共同

化硅具备多项技术优势（图1），这使其在电动汽车、数封装，形成一个集成化的常闭型碳化硅FET器件。我们

据中心，以及直流快充、储能系统和光伏逆变器等能的碳化硅CascodeJFET能够轻松、灵活地替代IGBT、

源基础设施领域露头角，成为众多应用中的新兴首选超结MOSFET以及碳化硅MOSFET等任何器件类型

技术。