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柔性衬底上沉积CdO透明导电薄膜的研究

一、引言

（一）研究背景与意义

在现代光电子技术飞速发展的时代，透明导电薄膜作为一类关键材料，在众多领域中扮演着不可或缺的角色。从日常使用的手机、平板电脑等显示设备，到致力于可持续能源发展的太阳能电池，透明导电薄膜凭借其独特的光电特性，成为实现这些设备高性能运行的核心要素。传统的氧化铟锡（ITO）薄膜，因其在可见光范围内具有出色的透光性（透光率通常可达90%以上）以及良好的导电性（电阻率可低至10??Ω?cm量级），在过去很长一段时间内被广泛应用于各类光电器件中。然而，随着科技的不断进步以及应用需求的日益增长，ITO薄膜的局限性也逐渐凸显出来。

铟作为一种稀有金属，在地壳中的储量极为有限。据相关统计数据显示，全球铟的储量仅约为1.6-1.9万吨，且分布极为不均。随着ITO薄膜在各个领域的大规模应用，铟资源的稀缺性问题愈发严重，导致其价格不断攀升，这无疑大幅增加了相关产业的生产成本。ITO薄膜自身的一些特性也限制了其在新兴领域的应用拓展。例如，ITO薄膜的机械柔韧性较差，在面对弯曲、拉伸等机械形变时，其内部结构容易受到破坏，进而导致导电性能和透光性能下降。这一缺点使得ITO薄膜难以满足当前便携式电子设备和柔性电子器件对材料柔韧性的严格要求。

为了克服ITO薄膜的这些不足，寻找新型的透明导电材料已成为材料科学