CN110837688B 等离子体鞘套3d-fdtd建模中总场-散射场平面波源产生方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN110837688B公告日2021.11.16

(21)申请号201910944401.5

(56)对比文件

(22)申请日2019.09.30

CN107479092

A,2017.12.15

(65)同一申请的已公布的文献号

CN105868571

A,2016.08.17

申请公布号CN110837688A(43)申请公布日2020.02.25

审查员龚秒

(73)专利权人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市太白南路2号西

安电子科技大学

(72)发明人石磊刘彦明魏海亮李小平

姚博

(74)专利代理机构西安长和专利代理有限公司

61227

代理人李霞(51)Int.CI.

GO6F30/20(2020.01)

权利要求书6页

说明书16页附图7页

(54)发明名称

等离子体鞘套3D-FDTD建模中总场/散射场平面波源产生方法

(57)摘要

CN110837688B本发明属于电磁场数值计算技术领域，公开了一种等离子体鞘套3D-FDTD建模中总场/散射场平面波源产生方法，包括：建立分层等离子体鞘套三维总场/散射(TF/S