CN115943227B 形成介电膜的方法,新型前体及其在半导体制造中的用途 (乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司).docxVIP

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  • 2026-04-07 发布于山西
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CN115943227B 形成介电膜的方法,新型前体及其在半导体制造中的用途 (乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司).docx

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN115943227B

(45)授权公告日2025.06.24

(21)申请号202080103302.5

(22)申请日2020.07.28

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN115943227A

(43)申请公布日2023.04.07

(85)PCT国际申请进入国家阶段日2023.02.20

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/EP2020/0712932020.07.28

(87)PCT国际申请的公布数据

WO2022/022813EN2022.02.03

(73)专利权人乔治洛德

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