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CN115835626B 3d堆叠的半导体器件、3d存储器及其制备方法、电子设备 （北京超弦存储器研究院）.docxVIP

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  • 2026-04-07 发布于山西
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CN115835626B 3d堆叠的半导体器件、3d存储器及其制备方法、电子设备 （北京超弦存储器研究院）.docx

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利

    (10)授权公告号CN115835626B

    (45)授权公告日2024.04.09

    (21)申请号202211658805.6

    (22)申请日2022.12.22

    (65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN115835626A

    (43)申请公布日2023.03.21

    (73)专利权人北京超弦存储器研究院

    地址100176北京市大兴区北京经济技术

    开发区景园北街52幢5层501-12

    (72)发明人桂文华戴瑾王祥升王桂磊毛淑娟艾学正

    (74)专利代理机构北京安信方达知识产权代理

    有限公司112

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