CN119993908A 一种薄膜沉积方法及半导体器件 (上海积塔半导体有限公司).pdfVIP

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  • 2026-04-04 发布于重庆
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CN119993908A 一种薄膜沉积方法及半导体器件 (上海积塔半导体有限公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119993908A

(43)申请公布日2025.05.13

(21)申请号202510138667.6

(22)申请日2025.02.07

(71)申请人上海积塔半导体有限公司

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