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探索ZnO稀磁半导体低维结构：制备工艺与性能调控的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

随着信息技术的飞速发展，对半导体材料性能的要求日益提高。稀磁半导体（DilutedMagneticSemiconductor，DMS）作为一种新型功能材料，将磁性材料和半导体材料的优点相结合，能同时利用电子的电荷和自旋属性，在自旋电子学领域展现出了巨大的应用潜力，成为了材料科学研究的热点之一。

在众多稀磁半导体材料中，氧化锌（ZnO）因其独特的性质而备受关注。ZnO是一种直接带隙半导体材料，室温下的带隙宽度约为3.37eV，激子结合能高达60meV，具有优良的光电、压电和气敏等性质，在光