CN119956333A 多晶碳化硅承载衬底、键合碳化硅衬底及其制备方法 (苏州龙驰半导体科技有限公司).pdfVIP

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  • 2026-04-04 发布于重庆
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CN119956333A 多晶碳化硅承载衬底、键合碳化硅衬底及其制备方法 (苏州龙驰半导体科技有限公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119956333A

(43)申请公布日2025.05.09

(21)申请号202510135860.4C30B29/36(2006.01)

(22)申请日2025.02.07

(71)申请人苏州龙驰半导体科技有限公司

地址215000江苏省苏州市高新区金山路

78号1-2幢Z101室B-216

(72)发明人柴利林

(74)专利代理机构北京科慧致远知识产权代理

有限公司11739

专利代理师赵红凯

(51)Int.Cl.

C23C16/458(2006.01)

H01L21/02(2006.01)

C23C16/32

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