1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 计算机
  5. 存储技术

CN115939043B 半导体结构及其制作方法 （长鑫存储技术有限公司）.docxVIP

  • 2
  • 0
  • 约3.27万字
  • 约 68页
  • 2026-04-04 发布于山西
  • 举报

CN115939043B 半导体结构及其制作方法 （长鑫存储技术有限公司）.docx

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利

    (10)授权公告号CN115939043B

    (45)授权公告日2025.06.03

    (21)申请号202110937532.8

    (22)申请日2021.08.16

    (65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN115939043A

    (43)申请公布日2023.04.07

    (73)专利权人长鑫存储技术有限公司

    地址230601安徽省合肥市经济技术开发

    区空港工业园兴业大道388号专利权人北京超弦存储器研究院

    (72)发明人邵光速肖德元白卫平邱云松

    (51)Int.Cl.

    H10D84/03(202

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >