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高级半导体分立器件和集成电路装调工技能鉴定考试题及答案

一、单项选择题（每题2分，共20题，合计40分）

1.本征半导体中载流子浓度主要由（）决定

A.掺杂浓度B.温度C.光照强度D.外加电场

答案：B

2.PN结正向偏置时，耗尽层厚度（）

A.变宽B.变窄C.不变D.先宽后窄

答案：B

3.双极型晶体管（BJT）的三个工作区域中，放大工作状态要求（）

A.发射结正偏、集电结正偏B.发射结正偏、集电结反偏

C.发射结反偏、集电结正偏D.发射结反偏、集电结反偏

答案：B

4.场效应晶体管（MOSFET）的导电沟道形成于（）

A.栅极氧化层B.衬底表面C.源漏极之间D.体区内部

答案：B

5.金丝球焊键合工艺中，通常采用的超声功率范围是（）

A.520mWB.50200mWC.5002000mWD.520W

答案：B

6.表面贴装技术（SMT）中，焊膏印刷的厚度控制精度通常要求（）

A.±5%B.±10%C.±15%D.±20%

答案：B

7.集成电路封装中，QFP（四方扁平封装）的引脚间距典型值为（）

A.0.3mmB.0.5mmC.0.8mmD.1.27mm

答案：C

8.分立器件装调中，二极管反向漏电流测试时，通常施加的电压是（）

A.正向导通电压B