原创力文档2026长鑫存储生产岗在线考核历年真题及答案汇总
一、单项选择题（每题2分，共20分）
1.在DRAM制造中，用于形成位线接触孔的关键光刻层次是
A.AA层B.SN层C.CB层D.V0层
2.长鑫存储19nm工艺中，浅槽隔离（STI）主要填充材料为
A.多晶硅B.氮化硅C.氧化硅D.钨
3.下列哪项参数最能直接反映栅氧完整性（GOI）优劣
A.Vt漂移B.Ig漏电流C.载流子迁移率D.阈值电压均匀性
4.在铜互连工艺中，防止铜扩散进入介电层最常用的阻挡层材料是
A.TiB.Ta/TaN
2026长鑫存储生产岗在线考核历年真题及答案汇总
一、单项选择题（每题2分，共20分）
1.在DRAM制造中，用于形成位线接触孔的关键光刻层次是
A.AA层B.SN层C.CB层D.V0层
2.长鑫存储19nm工艺中，浅槽隔离（STI）主要填充材料为
A.多晶硅B.氮化硅C.氧化硅D.钨
3.下列哪项参数最能直接反映栅氧完整性（GOI）优劣
A.Vt漂移B.Ig漏电流C.载流子迁移率D.阈值电压均匀性
4.在铜互连工艺中，防止铜扩散进入介电层最常用的阻挡层材料是
A.TiB.Ta/TaN
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