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研究报告

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GaN次接触层对SiC光导开关欧姆接触的改进研究

一、引言

1.研究背景及意义

随着科技的不断进步，半导体材料在电子设备中的应用越来越广泛，其中碳化硅（SiC）作为一种宽禁带半导体材料，因其高击穿电压、高热导率和优异的电气性能，在高压、高频和高温应用领域具有巨大的应用潜力。特别是在光导开关领域，SiC器件以其出色的性能和可靠性，被广泛应用于高速通信、国防军工、新能源等领域。

近年来，SiC光导开关技术取得了显著的进展，其中欧姆接触技术是实现高效率、低损耗的关键技术之一。然而，传统的SiC器件欧姆接触存在一些问题，如接触电阻较大、接触稳定性较差等。为