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采用自举升压结构设计双电压mosfet驱动电路

MOS管最显著的特性是开关特性好，所以被广泛用在需要虹开关的电

路中，常见的如开关电源和马达驱动,也有照明调光。

现在的M0S驱动，有几个特别的需求，

1,低压用当使用5V也遮，这时候如果使用传统的图腾柱结构，由于三

极管的be有0.7V左右的压降，导致实际最终加在gate上的电压只有4.3V

O

这时候，我们选用标称gate电压4.5V的M0S管就存在一定的风险。同样的问

题也发生在使用3v或者其他低压电源的场合。

2,宽电压用输入电压并不是一个固定值，它会随着时间或者其他因素

而变动。这个变动导致PWM电路提供给M0S管的驱动电压是不稳定的。

为了让M0S管在高gate电压下安全，很多M0S管内置了稳压管强行限制

gate电压的幅值。在这种情况下，当提供的驱动电压超过稳压管的电压，就会

引起较大的静态功耗。

同时，如果简单的用电