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2026年半导体制程品质管控考试试题及答案

一、单项选择题（每题2分，共30分）

1.以下哪种方法不属于半导体制程中常用的品质检测方法？

A.扫描电子显微镜（SEM）

B.原子力显微镜（AFM）

C.气相色谱法

D.椭偏仪

答案：C。气相色谱法主要用于分析挥发性有机化合物等，在半导体制程品质检测中并非常用方法。扫描电子显微镜用于观察半导体表面微观结构；原子力显微镜可精确测量表面形貌；椭偏仪用于测量薄膜厚度和光学常数等。

2.在半导体制造中，光刻工艺的关键参数不包括以下哪一项？

A.曝光剂量

B.显影时间

C.刻蚀速率

D.焦距

答案：C。刻蚀速率是刻蚀工艺的关键参数，而光刻工艺的关键参数包括曝光剂量、显影时间、焦距等，这些参数会直接影响光刻图形的质量。

3.半导体晶圆的平整度对制程品质有重要影响，通常用以下哪个指标来衡量？

A.表面粗糙度

B.翘曲度

C.厚度均匀性

D.以上都是

答案：D。表面粗糙度影响后续薄膜沉积等工艺；翘曲度会导致光刻等工艺对准困难；厚度均匀性对器件性能一致性有重要影响，所以三者都可用于衡量晶圆平整度。

4.以下哪种缺陷类型在半导体制造中属于颗粒缺陷？

A.划痕

B.位错

C.金属杂质

D.尘埃

答案：D。尘埃属于颗粒缺陷，划痕是机械损伤缺陷；位错是晶体结构缺陷；金属杂质是化学杂质缺陷。