光电效应实验原理与应用研究.pptx

大学物理实验

光电效应

背景

实验要求和内容

实验原理

仪器设置

实验内容

数据处理

误差分析

光电效应的应用

【背景】

赫兹在研究紫外线对火花放电的影响时发现了光电效应。后来勒纳德等人制作了二极管研究了这一现象。当时无法用经典理论解释。

1900年,普朗克(MaxKarlErnstLudwigPlanck,1858—1947)提出量子假设。

1905年,爱因斯坦提出光量子概念,解释了光电效应现象。

普朗克是该杂志的主编,他对爱因斯坦的工作给予了高度的评价

在普朗克获博士学位五十周年纪念会上普朗克向爱因斯坦颁发普朗克奖章

一、实验要求和内容

1.光电效应示意图

2.光电效应

外光电效应——光作用下金属表面逸出电子。

内光电效应——

光电导效应:半导体材料在光照下,电子受能量大于

电子禁带宽度的光子作用激发导带,增加电导率的现象。

光生伏打效应:半导体材料在光照下,产生一定方

向电动势的现象。

3.实验规律

(1)饱和光电流:

饱和光电流强度与入射光强度成正比。

(2)每个光电子的动能

随入射光频率提高而增大,

与入射光强无关;

U0

3

1

2

U

I

IS

0

(3)存在截止频率:对某一种金属来说,只有当入射光的频率大于某一频率时,电子才能从金属表面逸出,电路中才有光电流,这个频率叫

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