2026中国第三代半导体材料技术突破及市场机遇研究报告
目录
TOC\o1-3\h\z\u摘要 3
一、2026中国第三代半导体产业全景概览 5
1.1研究背景与核心驱动力 5
1.2报告关键发现与战略建议 7
二、第三代半导体材料技术演进路线 12
2.1碳化硅(SiC)材料技术突破 12
2.2氮化镓(GaN)材料技术演进 16
三、核心制程工艺与设备国产化深度分析 19
3.1外延生长(Epi-Wafer)关键技术 19
3.2高端刻蚀与薄膜沉积设备 22
四、2026中国第三代半导体市场机遇研判 25
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