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氧化镓薄膜的制备工艺优化及氢退火效应研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体材料的发展历程中，从第一代的硅（Si）、锗（Ge），到第二代的砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP），再到第三代以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的宽禁带半导体材料，每一次的变革都为电子器件性能带来了飞跃式的提升，推动了通信、能源、交通等众多领域的革新。而在当前，氧化镓（Ga?O?）作为一种新型超宽禁带半导体材料，正凭借其独特的性能优势，在半导体领域崭露头角，成为研究的热点。

氧化镓材料具有4.2-4.9eV的带隙宽度，拥有α-Ga?O?、β-Ga?O?、γ-Ga?O?、δ-G