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CN120018529A 一种应用SiC BCD工艺的高压BJT器件及其制备方法 （西安电子科技大学）.pdfVIP

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  • 2026-04-09 发布于重庆
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CN120018529A 一种应用SiC BCD工艺的高压BJT器件及其制备方法 （西安电子科技大学）.pdf

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN120018529A

    (43)申请公布日2025.05.16

    (21)申请号202510156233.9

    (22)申请日2025.02.12

    (71)申请人西安电子科技大学

    地址710071陕西省西安市雁塔区太白南

    路2号

    (72)发明人元磊张天元刘洋贾仁需

    张艺蒙张玉明

    (74)专利代理机构西安嘉思特知识产权代理事

    务所(普通合伙)61230

    专利代理师辛菲

    (51)Int.Cl.

    H10D10/40(2025.01)

    H10D62/10(2025.01)

    H10D10/01(2025.01)

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