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CN120018536A 一种高稳定性氧化物半导体场效应晶体管的制备方法 （北京大学）.pdfVIP

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  • 2026-04-09 发布于重庆
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CN120018536A 一种高稳定性氧化物半导体场效应晶体管的制备方法 （北京大学）.pdf

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN120018536A

    (43)申请公布日2025.05.16

    (21)申请号202510153540.1

    (22)申请日2025.02.12

    (71)申请人北京大学

    地址100871北京市海淀区颐和园路5号

    (72)发明人吴燕庆胡倩澜王之昱

    (74)专利代理机构北京万象新悦知识产权代理

    有限公司11360

    专利代理师贾晓玲

    (51)Int.Cl.

    H10D30/01(2025.01)

    H01L21/477(2006.01)

    H10D30/67(2025.01)

    权利要求书1页说明书3页附图2页

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