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1+X集成电路理论知识模拟题及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、单项选择题（每题2分，共20题，40分）

1.集成电路按功能分类，不包括以下哪类？

A.数字集成电路

B.模拟集成电路

C.光电集成电路

D.分立元件电路

2.PN结反偏时，其空间电荷区宽度将如何变化？

A.变窄

B.变宽

C.不变

D.随温度线性变化

3.增强型NMOSFET的开启电压（Vth）主要取决于以下哪个因素？

A.栅极金属功函数

B.衬底掺杂浓度

C.沟道长度

D.漏源电压

4.光刻工艺中，用于将掩模版图形转移到硅片的关键步骤是？

A.涂胶

B.前烘

C.曝光

D.显影

5.以下哪种工艺属于“减法工艺”？

A.化学气相沉积（CVD）

B.物理气相沉积（PVD）

C.干法刻蚀

D.离子注入

6.数字集成电路设计中，“静态时序分析”的主要目的是？

A.验证逻辑功能正确性

B.检查信号完整性

C.计算电路最大工作频率

D.优化功耗

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