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微电子器件基础

第四章金属-氧化物-半导

体场效应晶体管基础

引言

所谓“MOS”指的仅是金属－二氧化硅（SiO2－

硅系统语。是更金一属般－的绝术缘体－半导体（

二氧MIS化硅，，其半导体也

并非一定是硅。由于MIS系统有着类似的基本物理概

念，在这一章里我们将始终讨论MOS系统。

MOSFET的基本结构

4.1双端MOS结构

MOSFET的核心是金属－氧化物－

半导其体中电的容金，属可以是铝

但或更者通一常的情

况是在氧化物上面淀积高电导率的多

晶硅；然而，金属一词通常被延用下

来。

4.1.1能带图

外加负栅压的MOS电容器的电场和电流

4.1.1能带图

施加小的正偏栅压后的MOS电容器

4.1.1能带图

p型衬底MOS电容器的能带图

4.1.1能带图

n型衬底MOS电容器的能带图

4.1.2耗尽层厚度

我们可以通过计算求于氧化物－半导体界面处的空间电荷