GaN功率器件射频电路设计优化及设备采购项目可行性研究报告.docx

GaN功率器件射频电路设计优化及设备采购项目可行性研究报告

第一章总论

项目概要

本项目名称为GaN功率器件射频电路设计优化及设备采购项目，由深圳芯能半导体技术有限公司投资建设。项目性质为新建，选址位于广东省深圳市宝安区石岩街道高新技术产业园，总占地面积30亩，总建筑面积22000平方米，分两期建设，建设期24个月，从2026年3月至2028年2月，其中一期工程建设期为2026年3月至2027年2月，二期工程建设期为2027年3月至2028年2月。

项目总投资估算为38650万元，全部由企业自筹解决，无银行贷款。一期工程投资23190万元，包括土建工程8200万元、设备及安装投资7800万