CN119993901A 浅沟槽隔离结构的制备方法及半导体器件 (上海积塔半导体有限公司).pdfVIP

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  • 2026-04-13 发布于重庆
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CN119993901A 浅沟槽隔离结构的制备方法及半导体器件 (上海积塔半导体有限公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119993901A

(43)申请公布日2025.05.13

(21)申请号202510159432.5

(22)申请日2025.02.13

(71)申请人上海积塔半导体有限公司

地址201306上海市浦东新区自由贸易试

验区临港新片区云水路600号

(72)发明人郭灏

(74)专利代理机构上海隆天律师事务所31282

专利代理师夏彬

(51)Int.Cl.

H01L21/762(2006.01)

H10D84/03(2025.01)

H10D62/10(2025.01)

H10D84/85(2025.01)

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