CN119922941A 一种硅基AlGaNGaN HEMT外延结构及其生长方法 (南京盛鑫半导体材料有限公司).pdfVIP

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  • 2026-04-11 发布于重庆
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CN119922941A 一种硅基AlGaNGaN HEMT外延结构及其生长方法 (南京盛鑫半导体材料有限公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119922941A

(43)申请公布日2025.05.02

(21)申请号202510165223.1H10D62/85(2025.01)

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