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60V 193A N沟道MOSFET特性与应用.pdf

60V 193A N沟道MOSFET特性与应用.pdf

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    FDP030N06

    N通道PowerTrench®MOSFET

    60V，193A，3.2mΩ

    特性

    •RDS(导通)= 2.6mΩ(典型值)@VGS= 10∨，lD= 75A

    •快速开关速度

    •低栅极电荷

    •高性能沟槽技术实现极低的RDS(on)

    •高功率和电流处理能力

    •符合RoHS

    描述此N沟道MOSFET

    采用FairchildSemiconductor®先进的PowerTrench®工艺制造，该工艺

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